一種鰭式場效應(yīng)晶體管及氣體簇離子束形成鈍鰭的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110366705.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113178476A | 公開(公告)日 | 2021-07-27 |
申請公布號 | CN113178476A | 申請公布日 | 2021-07-27 |
分類號 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 曹路;宋鳳麒 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇集創(chuàng)原子團簇科技研究院有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 趙艷平 |
地址 | 210000江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道步月路29號12幢-500 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種鰭式場效應(yīng)晶體管,包括:半導(dǎo)體襯底;絕緣體層,設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上;多個鰭片設(shè)置在絕緣體層上;其中多個鰭的第一子集由半導(dǎo)體材料組成,并且其中多個鰭的第二子集由介電材料組成;其中多個鰭的第二子集由氮化硅構(gòu)成并且與多個鰭的第一子集交錯;和其中來自多個鰭的第一子集的鰭組與外延生長的硅合并,并且其中來自多個鰭的第一子集的至少一組鰭與n摻雜外延生長的硅合并,并且其中將來自多個鰭的第一子集中的至少另一組鰭與p型摻雜的外延生長的硅合并。 |
