一種各向異性膜生長(zhǎng)的方法及氣體團(tuán)簇反應(yīng)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110447250.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113186512A 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113186512A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) C23C16/42（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 曹路;宋鳳麒;劉翊;張同慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇集創(chuàng)原子團(tuán)簇科技研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 210000江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道步月路29號(hào)12幢-500
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種在基板上形成低溫硅化物膜的方法，將原料氣體供應(yīng)到團(tuán)簇形成室以形成氣體團(tuán)簇；將氣體團(tuán)簇移至電離加速室以形成氣體團(tuán)簇離子束GCIB；將GCIB注入處理室中，該處理室容納基板；通過注入裝置將前驅(qū)物氣體注入到處理室中，其中注入裝置以使得前驅(qū)物氣體到達(dá)基板的局部區(qū)域的方式定位在處理室的頂部上；和通過在前驅(qū)物氣體存在下用GCIB轟擊基板，在基板上形成硅化物膜；將所述GCIB注入所述處理室是通過位于所述電離加速室與所述處理室之間的孔執(zhí)行的，以形成準(zhǔn)直的GCIB。