采用微波等離子體制備飽和氮雜硅酸鑭固體電解質(zhì)薄膜的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210123116.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN102637889B | 公開(kāi)(公告)日 | 2015-01-07 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102637889B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-01-07 |
分類號(hào) | H01M8/10(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃志良;陳亞男;陳常連;王樹(shù)林;季家友;池汝安;魯冕;石月 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 武漢工大科技園發(fā)展有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人 | 武漢工程大學(xué);武漢化院科技有限公司 |
地址 | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)雄楚大街693號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及采用微波等離子體制備飽和氮雜硅酸鑭固體電解質(zhì)薄膜的方法,包括有以下步驟:1)取TEOS和La2O3,加入乙醇和硝酸加熱溶解,再加入去離子水制成混合溶液;2)氨水調(diào)節(jié)pH值,加熱攪拌,水浴加熱得到均勻溶膠;3)旋涂在玻璃片上,干燥,得到凝膠薄膜;4)將凝膠薄膜放入馬弗爐中煅燒,退火,得到初級(jí)薄膜;5)將初級(jí)薄膜放入微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中,抽真空,微波功率500~800W反應(yīng),得到次級(jí)薄膜;6)將次級(jí)薄膜,進(jìn)行燒結(jié),即得。本發(fā)明的有益效果是:提高了電解質(zhì)的電導(dǎo)率,同時(shí)氮摻雜降低了電解質(zhì)的工作溫度(500℃~800℃),所得產(chǎn)品具有低活化能和高氧離子電導(dǎo)率,高效、無(wú)污染。 |
