一種濺射鍍膜陰極系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201821531010.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN209227050U | 公開(公告)日 | 2019-08-09 |
申請公布號 | CN209227050U | 申請公布日 | 2019-08-09 |
分類號 | C23C14/35 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 王策;李先林;呂勇 | 申請(專利權(quán))人 | 華夏易能(海南)新能源科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 華夏易能(海南)新能源科技有限公司 |
地址 | 570216 海南省??谑心虾4蟮?68號??诒6悈^(qū)管理委員會二樓213室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種濺射鍍膜陰極系統(tǒng),包括:旋轉(zhuǎn)磁體、固定磁體和屏蔽罩;所述屏蔽罩一側(cè)設(shè)置有開口,且所述旋轉(zhuǎn)磁體和所述固定磁體設(shè)置在所述屏蔽罩內(nèi)部。該系統(tǒng)可以消除靶材端部拐彎處刻蝕非常嚴重,而中部區(qū)域卻相對刻蝕較淺的現(xiàn)象,進而提高靶材利用率;可以減少實際應(yīng)用中由于磁場分布的不均勻造成靶材的刻蝕區(qū)域的不均勻性問題,從而提高靶材利用率;還可以提高鍍膜層均勻性,從而提高產(chǎn)品質(zhì)量;還具有結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高、成本低等優(yōu)勢。 |
