自對準的溝槽式場效應晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010277938.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113540234A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113540234A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 常虹 申請（專利權(quán)）人 南京紫竹微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 710018 陜西省西安市西安經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種自對準的溝槽式場效應晶體管及其制備方法，透過在半導體基板的表面上制備一個多層屏蔽，再形成圖案制備所須的柵極溝槽；且透過非等向蝕刻，露出該底部氧化層的部分表面，形成在前述柵極溝槽中的柵極電極，且在氮化層的兩側(cè)形成側(cè)邊多晶硅層，且底部氧化層上方的表面部分外露；利用前述外露處進行本體注入，及構(gòu)成源極區(qū)；然后，沉積氧化物層在所述柵極電極上方，去除前述氮化層，利用此外露部分，在底部氧化層的下方附近形成接觸區(qū)，再對前述底部氧化層外露處進行接觸點槽的蝕刻，在所述接觸點槽內(nèi)形成導電接觸頭，且所述導電接觸頭電性連接前述本體區(qū)內(nèi)的源極區(qū)，最后，在半導體基板上方沉積一個金屬層，完成自對準的溝槽式場效應晶體管的制備。