一種保護(hù)屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)晶體管的屏蔽多晶硅側(cè)壁的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910765715.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112397390A 公開（公告）日 2021-02-23
申請公布號 CN112397390A 申請公布日 2021-02-23
分類號 H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇毅;常虹 申請（專利權(quán)）人 南京紫竹微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 210043 江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號創(chuàng)智大廈B座10C-A137室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 申請?zhí)峁┮环N保護(hù)屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)晶體管的屏蔽多晶硅側(cè)壁的形成方法，在形成多個(gè)屏蔽多晶硅的過程中，通過二次氧化層形成工藝來制成屏蔽多晶硅側(cè)壁，以提高屏蔽多晶硅頂部區(qū)域氧化物厚度及溝槽側(cè)壁在屏蔽多晶硅及柵極多晶硅過渡區(qū)域處的氧化物厚度以解決漏電流嚴(yán)重的問題。