自對(duì)準(zhǔn)的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020529911.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211700291U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211700291U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-16 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/423(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 常虹 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京紫竹微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海容慧專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 于曉菁 |
| 地址 | 710018 陜西省西安市西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種自對(duì)準(zhǔn)的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，透過(guò)在半導(dǎo)體基板的表面上制備一個(gè)多層屏蔽，再形成圖案制備所須的柵極溝槽；且透過(guò)非等向蝕刻，露出該底部氧化層的部分表面，形成在前述柵極溝槽中的柵極電極，且在氮化層的兩側(cè)形成側(cè)邊多晶硅層，且底部氧化層上方的表面部分外露；利用前述外露處進(jìn)行本體注入，及構(gòu)成源極區(qū)；然后，沉積氧化物層在所述柵極電極上方，去除前述氮化層，利用此外露部分，在底部氧化層的下方附近形成接觸區(qū)，再對(duì)前述底部氧化層外露處進(jìn)行接觸點(diǎn)槽的蝕刻，在所述接觸點(diǎn)槽內(nèi)形成導(dǎo)電接觸頭，且所述導(dǎo)電接觸頭電性連接前述本體區(qū)內(nèi)的源極區(qū)，最后，在半導(dǎo)體基板上方沉積一個(gè)金屬層，完成自對(duì)準(zhǔn)的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備。?? |
