溝槽型功率器件的溝槽柵結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010277890.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113517341A 公開（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517341A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 常虹 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京紫竹微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 710018 陜西省西安市西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽型功率器件的溝槽柵結(jié)構(gòu)及其制造方法，在半導(dǎo)體基底的溝槽內(nèi)底部的設(shè)有厚氧化層，溝槽側(cè)壁形成溝槽型功率器件的柵氧化層，及在溝槽內(nèi)沉積形成一個(gè)塞狀多晶硅柵極，且在厚氧化層上方及多晶硅柵極下方設(shè)有第一限制部，及包覆第一限制部的第二限制部。透過第一限制部及第二限制部的存在，在后續(xù)工序中將保留第二限制部下方的厚氧化層，從而能降低工藝成本；能在更小深寬比的溝槽中形成良好的TBO（Thick Bottom Oxide），從而能適用于各種深寬比的溝槽的TBO形成，從而具有較大的使用范圍。