屏蔽柵極溝槽半導(dǎo)體裝置及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910202460.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111697082A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111697082A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-22 |
| 分類號(hào) | H01L29/786(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蘇毅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京紫竹微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京紫竹微電子有限公司 |
| 地址 | 710018 陜西省西安市西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明專利提供一種屏蔽柵極溝槽半導(dǎo)體裝置及其制造方法，所述屏蔽柵極溝槽半導(dǎo)體裝置，包括：一半導(dǎo)體本體；一外延層，形成于所述半導(dǎo)體本體上；至少一溝槽結(jié)構(gòu)，形成于所述外延層上，通過(guò)所述溝槽結(jié)構(gòu)，所述溝槽結(jié)構(gòu)容納至少一個(gè)柵極多晶硅層；其中所述溝槽結(jié)構(gòu)包括一屏蔽多晶硅層和一多晶硅氧化層；一基體接觸區(qū)，形成于所述外延層上；一基體，形成于所述基體接觸區(qū)上；一源極接觸區(qū)及一基體接觸窗，分別形成于所述基體上；一源極，形成于所述基體上；一源極金屬層，形成于所述源極接觸區(qū)上；其中所述柵極多晶硅層與所述源極金屬層之間具有一硼磷硅玻璃氧化層。?? |
