高壓半導(dǎo)體功率裝置的邊緣終接的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010327210.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113555413A 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN113555413A 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇毅 申請（專利權(quán)）人 南京紫竹微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 210008 江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號創(chuàng)智大廈B座10C-A137室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高壓半導(dǎo)體功率裝置的邊緣終接的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在硅襯底中形成有核心溝槽及終端溝槽，其中所述終端溝槽比所述核心溝槽的深度深；所述核心溝槽及終端溝槽包括設(shè)于溝槽內(nèi)側(cè)壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之間的第一多晶硅。通過溝槽布局設(shè)計來改善邊緣終止擊穿的方法，從而能降低工藝成本；且通過溝槽布局設(shè)計，無需增加任何額外的掩模層或任何額外的處理步驟，即可實現(xiàn)高終端擊穿電壓，從而更好應(yīng)用于較小尺寸的集成電路芯片范圍。