一種溝槽功率器件及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011264302.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112382566A | 公開（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申請公布號 | CN112382566A | 申請公布日 | 2021-02-19 |
| 分類號 | H01L21/28(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊笠;石亮 | 申請（專利權(quán)）人 | 重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉寧 |
| 地址 | 400700重慶市北碚區(qū)悅復(fù)大道288號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種溝槽功率器件及其制造方法，涉及功率器件半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，包括如下步驟：A、元胞結(jié)構(gòu)的制備；B、接觸孔、鎢栓的制備；C、蝕刻形成電路；D、淀積鈍化層，蝕刻鈍化層。本發(fā)明可以克服工廠的光刻機(jī)臺的工藝能力，對柵極溝槽與源極溝槽的相對位置的工藝限制，進(jìn)一步提高集成度。通過同時制造柵極溝槽與源極溝槽，克服了上述光刻工藝難點，且由于沒有增加掩模版，成本可控?？梢赃M(jìn)一步縮小元胞密度，減少導(dǎo)通電阻，提高器件效率。?? |
