帶有MOSFET和低正向電壓的等效二極管增強型JFET的半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110306022.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102437187B 公開（公告）日 2015-07-01
申請公布號 CN102437187B 申請公布日 2015-07-01
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L27/07(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H02J7/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 雷燮光;王薇 申請（專利權）人 重慶萬國半導體科技有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 萬國半導體股份有限公司;萬國半導體（開曼）股份有限公司
地址 美國加利福尼亞州桑尼維爾奧克米德大道475號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 提出了一種帶有集成的MOSFET和等效增強型JFET的半導體芯片。MOSFET-JFET芯片包括類型-1導電類型的公共半導體襯底區(qū)(公共半導體襯底區(qū))。MOSFET器件和等效增強型JFET(等效二極管增強型JFET)器件位于公共半導體襯底區(qū)上方。等效二極管增強型JFET器件具有公共半導體襯底區(qū)，作為其等效二極管增強型JFET漏極。至少兩個類型-2導電類型的等效二極管增強型JFET柵極區(qū)位于等效二極管增強型JFET漏極上方，并且在水平方向上相互分離，帶有等效二極管增強型JFET柵極間距。至少一個類型-1導電類型的等效二極管增強型JFET源極位于公共半導體襯底區(qū)上方，以及等效二極管增強型JFET柵極之間。頂部等效二極管增強型JFET電極位于等效二極管增強型JFET柵極區(qū)和等效二極管增強型JFET源極區(qū)上方，并與它們相接觸。如果配置得合適，等效二極管增強型JFET會同時具有大幅低于PN結二極管的正向電壓Vf，以及可以與PN結二極管相比擬的反向漏電流。