一種多層外延減壓生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011264301.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN112382560A 公開（公告）日 2021-02-19
申請公布號(hào) CN112382560A 申請公布日 2021-02-19
分類號(hào) H01L21/20(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯龍 申請（專利權(quán)）人 重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉寧
地址 400700重慶市北碚區(qū)悅復(fù)大道288號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了多層外延減壓生長方法，涉及超級(jí)結(jié)型功率器件外延生長技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：A、減壓外延生長設(shè)備的反應(yīng)腔前處理；B、外延減壓生長步驟；C、每重復(fù)步驟A、B 3～5次后進(jìn)行一次圖形刻蝕步驟；D、圖形刻蝕的后處理。減壓外延工藝比普通外延工藝時(shí)間減少10％以上，設(shè)備產(chǎn)能提升可達(dá)30％以上，本申請所指減壓外延工藝對圖形的保形更好，可以減少超級(jí)結(jié)型功率器件兩道光刻工藝，本申請所指減壓外延低溫工藝使wafer的翹曲改善，更利于后續(xù)工藝。??