制備準(zhǔn)諧振變換器的單片IGBT和二極管結(jié)構(gòu)及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201110436059.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN102569297B | 公開(kāi)（公告）日 | 2015-07-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102569297B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-07-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 安荷·叭剌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海信好專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司;萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（開(kāi)曼）股份有限公司 |
| 地址 | 美國(guó)加利福尼亞桑尼維爾奧克米德公園道475號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出了一種制備準(zhǔn)諧振變換器的結(jié)構(gòu)及方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成的半導(dǎo)體功率器件，該半導(dǎo)體功率器件還包括一個(gè)在半導(dǎo)體襯底外圍附近的通道終止區(qū)，其中通道終止區(qū)還包括一個(gè)二極管的外圍端，對(duì)應(yīng)與外圍端水平相對(duì)的二極管另一端，設(shè)置在半導(dǎo)體功率器件的有源區(qū)上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體功率器件是一個(gè)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。 |
