二維屏蔽柵晶體管器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210418340.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103094321B | 公開(kāi)（公告）日 | 2015-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103094321B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-06-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 雷燮光;安荷·叭剌;伍時(shí)謙 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海申新律師事務(wù)所 | 代理人 | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司;萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（開(kāi)曼）股份有限公司 |
| 地址 | 美國(guó)加利福尼亞州桑尼維爾奧克米德大道475號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明是二維屏蔽柵晶體管器件及其制備方法。屏蔽柵晶體管器件包括形成在第一層次上的半導(dǎo)體襯底中的一個(gè)或多個(gè)屏蔽電極，以及形成在第二層次上的半導(dǎo)體襯底中的一個(gè)或多個(gè)柵極電極，第二層次與第一層次不同。一個(gè)或多個(gè)柵極電極的一個(gè)或多個(gè)部分與一個(gè)或多個(gè)屏蔽電極的一個(gè)或多個(gè)部分重疊。至少一部分柵極電極的方向不平行于一個(gè)或多個(gè)屏蔽電極。屏蔽電極與半導(dǎo)體襯底電絕緣，一個(gè)或多個(gè)柵極電極與襯底以及屏蔽電極電絕緣。 |
