一種SGT MOSFET器件及其接觸孔的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110271647.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113035840A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035840A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L23/538;H01L23/60;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭飛;趙毅;石亮 申請（專利權）人 重慶萬國半導體科技有限公司
代理機構 上海精晟知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 張仁杰
地址 400700 重慶市北碚區(qū)悅復大道288號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SGT MOSFET器件及其接觸孔的制造方法，涉及功率半導體器件制造領域，包括如下步驟：A、柵極溝槽、源極溝槽、屏蔽柵溝槽以及預埋ESD溝槽；B、元胞結構的制備；C、離子注入制備ESD、體區(qū)、源區(qū)；D、柵極接觸孔、源極接觸孔、屏蔽柵接觸孔、ESD接觸孔的制作。本發(fā)明通過將ESD預埋入溝槽之中，減小柵極接觸孔、源極接觸孔、屏蔽柵接觸孔、ESD接觸孔的深度差，實現(xiàn)一次光刻工藝完成所有接觸孔的制作，減少了一道光刻工藝流程及一道生長ESD多晶硅的工藝流程，節(jié)約成本，降低了制造工藝的難度。