聯(lián)合封裝高端和低端芯片的半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110310147.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103035631B 公開（公告）日 2015-07-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN103035631B 申請(qǐng)公布日 2015-07-29
分類號(hào) H01L25/07(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔玉平;薛彥迅;趙良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶萬國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海信好專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 萬國(guó)半導(dǎo)體（開曼）股份有限公司;重慶萬國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司
地址 英屬西印度群島開曼群島大開曼島KY1-1107郵政信箱709瑪麗街122號(hào)和風(fēng)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種聯(lián)合封裝高端和低端芯片的半導(dǎo)體器件及其制造方法，該器件中低端和高端芯片分別粘貼在導(dǎo)電的引線框架的兩邊，使低端芯片的底部漏極電性連接載片基座的頂面，高端芯片的頂部源極通過對(duì)應(yīng)的焊球，電性連接在載片基座的底面。本發(fā)明中由于低端芯片、引線框架的載片基座、高端芯片是立體布置的，能夠減小整個(gè)器件的尺寸；將三者塑封之后，所述高端芯片背面覆蓋的金屬層或?qū)щ娊饘儋N片，暴露設(shè)置在該半導(dǎo)體器件背面的封裝體以外，有效改善器件的散熱性能。