一種低導通電阻的功率MOS晶體管器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110305952.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103021858B 公開（公告）日 2015-05-27
申請公布號 CN103021858B 申請公布日 2015-05-27
分類號 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇毅;伍時謙;安荷·叭剌;魯軍 申請（專利權）人 重慶萬國半導體科技有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 竺路玲
地址 美國加利福尼亞州桑尼維爾奧克米德大道475號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一般涉及一種功率半導體器件及其制備方法，更確切的說，本發(fā)明旨在提供一種減薄硅襯底來降低功率MOS晶體管導通電阻的方法及該方法所制備的功率MOS晶體管器件。由于在硅襯底形成有一個或多個底部凹槽，有效的減少了功率MOSFET晶體管的硅襯底導通電阻，并且與底部凹槽相匹配的基座進一步提供了對具有底部凹槽的功率MOSFET晶體管的封裝能力。