半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201180030470.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102947921A 公開（公告）日 2013-02-27
申請公布號 CN102947921A 申請公布日 2013-02-27
分類號 H01L21/338(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 中島昭;?？ɡ{拉亞南·?？思{特馬達蒂爾;住田行常;河合弘治 申請（專利權）人 遠山新材料科技有限公司
代理機構 北京三幸商標專利事務所 代理人 劉激揚
地址 英國謝菲爾德市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 通過利用極化結，從而根本性地緩和傳導通道的局部中產(chǎn)生的峰電場，實現(xiàn)高耐壓化，同時消除電流崩塌的產(chǎn)生以達到實際應用的水平，容易實現(xiàn)低損耗GaN類半導體器件。半導體器件具有依次層疊于C面藍寶石基板等基底基板上的Inz?Ga1-z?N層11(0≤z＜1)、Alx?Ga1-x?N層12(0＜x＜1)、Iny?Ga1-y?N層13(0≤y＜1)以及p型Inw?Ga1-w?N層14(0≤w＜1)。在非運作時，在Alx?Ga1-xN層12與Iny?Ga1-y?N層13之間的異質界面近旁部分的Iny?Ga1-y?N層13處形成二維空穴氣15、且在Inz?Ga1-z?N層11與Alx?Ga1-x?N層12之間的異質界面近旁部分的Inz?Ga1-z?N層16處形成二維電子氣16。