半導(dǎo)體電路和半導(dǎo)體電路的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110641441.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113380780A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113380780A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類(lèi)號(hào) H01L25/16（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 左安超;謝榮才;王敏 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市辰為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 唐文波
地址 528000廣東省佛山市南海區(qū)丹灶鎮(zhèn)仙湖度假區(qū)養(yǎng)生路10號(hào)之一
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路和半導(dǎo)體電路的制造方法，通過(guò)電路基板上設(shè)置絕緣層；電路層設(shè)置在第一絕緣層上；多個(gè)引腳的第一端分別與電路層電性連接；密封本體至少包裹設(shè)置電路層的電路基板的一表面，各引腳的第二端從密封本體露出；電路基板包括第一冷卻件和第二冷卻件，且由第一冷卻件和第二冷卻件混合制備得到，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路基板上的功率器件進(jìn)行高效散熱。本申請(qǐng)通過(guò)第一冷卻件和第二冷卻件混合制備得到電路基板，提升了電路基板的導(dǎo)熱性，能夠?qū)㈦娐坊迳裙β势骷a(chǎn)生的熱量更快的導(dǎo)出，且混合制備得到的電路基板與半導(dǎo)體電路的熱膨脹系數(shù)相近，有利于功率器件熱量及時(shí)散出，提升半導(dǎo)體電路的可靠性。