多層縱向OTP存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711115765.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109817622A 公開（公告）日 2019-05-28
申請公布號 CN109817622A 申請公布日 2019-05-28
分類號 H01L27/115（2017.01）I; H01L27/095（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠; K·J·韓 申請（專利權(quán)）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都皮兆永存科技有限公司
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 多層縱向OTP存儲器，涉及存儲器技術(shù)。本發(fā)明含有：至少3層導(dǎo)電板，各層導(dǎo)電板彼此絕緣，各層導(dǎo)電板皆設(shè)置有電路接口，用于與外部電路連接；按M×N行列排列的導(dǎo)電柱，M和N皆為大于2的整數(shù)；每一導(dǎo)電柱皆與各層導(dǎo)電板相交，在導(dǎo)電板與導(dǎo)電柱的相交處，導(dǎo)電板與導(dǎo)電柱之間設(shè)置有存儲單元；所述存儲單元由摻雜類型相異的兩個半導(dǎo)體層以及設(shè)置于兩個半導(dǎo)體層之間的絕緣電介質(zhì)層構(gòu)成；或者，所述存儲單元由符合在該交叉點(diǎn)處產(chǎn)生肖特基接觸所需的兩個肖特基材料層以及設(shè)置于兩個肖特基材料層之間的絕緣電介質(zhì)層構(gòu)成。本發(fā)明具有存儲密度高，成本低，可靠性高的特點(diǎn)，能夠在惡劣的環(huán)境條件下相當(dāng)長期地存儲數(shù)據(jù)。