高密度三維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910726539.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110610943A 公開（公告）日 2019-12-24
申請公布號 CN110610943A 申請公布日 2019-12-24
分類號 H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11526;H01L27/11578 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠 申請（專利權(quán)）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都皮兆永存科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 高密度三維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲器及制備方法，涉及半導(dǎo)體存儲器技術(shù)。本發(fā)明的存儲器包括三維存儲體和選擇MOS管區(qū)域；所述三維存儲體包括：至少兩個導(dǎo)電條層，每個導(dǎo)電條層包括至少3條并列的導(dǎo)電條；設(shè)置于同層且相鄰兩個導(dǎo)電條之間的立柱，立柱的軸線垂直于導(dǎo)電條的軸線，立柱具有導(dǎo)電性；在立柱和導(dǎo)電條交叉處設(shè)置有存儲單元；其特征在于，所述選擇MOS管為層狀平面結(jié)構(gòu)，其襯底、摻雜區(qū)、柵極介質(zhì)區(qū)和柵區(qū)皆為垂直于立柱軸線的平面結(jié)構(gòu)體。本發(fā)明的存儲器完全可以基于標(biāo)準(zhǔn)MOS工藝實現(xiàn)，具有更低的成本和更高的良率。