半導體存儲器制備方法及半導體存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910592710.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110491785A 公開（公告）日 2019-11-22
申請公布號 CN110491785A 申請公布日 2019-11-22
分類號 H01L21/304（2006.01）; H01L21/78（2006.01）; H01L21/56（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠 申請（專利權）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機構 成都惠迪專利事務所（普通合伙） 代理人 成都皮兆永存科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 半導體存儲器制備方法及半導體存儲器，涉及半導體及生產制備工藝。本發(fā)明的半導體存儲器制備方法包括下述步驟：a、采用半導體集成電路制造工藝，在晶圓上制作基本存儲模塊陣列，基本存儲模塊具有IO電路接口；b、對晶圓劃片，得到存儲芯片；c、將分離得到的存儲芯片進行封裝；所述步驟a中，正交方向相鄰基本存儲模塊的IO電路接口通過互聯(lián)線連接；所述步驟b為，按照預定的存儲芯片容量，確定存儲芯片內所包含的基本存儲模塊的數(shù)量及存儲芯片邊緣線的位置，然后沿存儲芯片邊緣線劃片，同時切斷跨越邊緣線的互聯(lián)線，將存儲芯片整體從晶圓分離。采用本發(fā)明的技術，能以一套掩模生產不同容量的存儲器，極大的降低了工藝成本。