三維可編程存儲(chǔ)器制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910109123.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109887923A 公開（公告）日 2019-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN109887923A 申請(qǐng)公布日 2019-06-14
分類號(hào) H01L27/11578（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都皮兆永存科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號(hào)5棟1單元11層3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 三維可編程存儲(chǔ)器制備方法，涉及存儲(chǔ)器的制備技術(shù)。本發(fā)明包括：1)形成具有層疊結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體的步驟；2)在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體上，沿層疊方向開設(shè)深孔的步驟；3)在深孔內(nèi)壁沉積中間介質(zhì)層，并在內(nèi)壁帶有中間介質(zhì)層的深孔內(nèi)填充導(dǎo)電介質(zhì)的步驟；所述步驟3)包括：3.1)在深孔內(nèi)壁沉積中間介質(zhì)層；3.2)在內(nèi)壁帶有中間介質(zhì)層的深孔內(nèi)填充導(dǎo)電介質(zhì)，形成內(nèi)部導(dǎo)電介質(zhì)層；3.3)在選定的深孔內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)電介質(zhì)層和選定的深孔外的連接導(dǎo)體之間施加擊穿電壓，以擊穿內(nèi)部導(dǎo)電介質(zhì)層和深孔外的連接導(dǎo)體之間的中間介質(zhì)層，使內(nèi)部導(dǎo)電介質(zhì)層和深孔外的連接導(dǎo)體之間形成導(dǎo)電連接。本發(fā)明具有良率高(次品率低)的特點(diǎn)。