高密度三維可編程存儲器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110233574.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113035874A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035874A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L27/112;H01L27/115 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠 申請（專利權(quán)）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉勛
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 高密度三維可編程存儲器的制備方法，涉及存儲器的制備技術(shù)。本發(fā)明包括下述步驟：1）形成基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體；2）對基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體開槽；3）在分割槽的內(nèi)壁逐層設(shè)置預(yù)設(shè)的存儲器結(jié)構(gòu)所需的各存儲介質(zhì)層；4）在分割槽中填充核心介質(zhì)，形成核心介質(zhì)層；5）采用掩膜下刻蝕工藝，沿填充有核心介質(zhì)的分割槽刻蝕深孔，由深孔截?cái)喾指畈壑械暮诵慕橘|(zhì)；6）在深孔中填充絕緣介質(zhì)。本發(fā)明成本低，可以取得最高的存儲密度。