全自對準(zhǔn)高密度3D多層存儲器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110189418.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112992906A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112992906A 申請公布日 2021-06-18
分類號 H01L27/112 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠;王苛 申請（專利權(quán)）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉勛
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 全自對準(zhǔn)高密度3D多層存儲器的制備方法，涉及存儲器的制備技術(shù)。本發(fā)明包括下述步驟：1）形成基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體；2）對基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體開槽；3）在分割槽中填充絕緣介質(zhì)；4）深孔刻蝕步驟3）填充的絕緣介質(zhì)，形成沿分割槽離散排列的存儲單元孔，相鄰的存儲單元孔之間為絕緣介質(zhì),并且基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體部分暴露于存儲單元孔內(nèi)；5）在存儲單元孔內(nèi)逐層設(shè)置預(yù)設(shè)的存儲器結(jié)構(gòu)所需的各層介質(zhì)。采用本發(fā)明技術(shù)制備得到的半導(dǎo)體存儲器存儲密度高。