多層一次性可編程永久存儲器單元及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780089270.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110520977A 公開（公告）日 2019-11-29
申請公布號 CN110520977A 申請公布日 2019-11-29
分類號 H01L21/8239;G11C11/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠 申請（專利權）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機構 成都惠迪專利事務所（普通合伙） 代理人 成都皮兆永存科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 多層一次性可編程永久存儲器單元及其制備方法，涉及存儲器技術。本發(fā)明提供一種多層一次性可編程永久存儲器單元，含有：至少兩層一次性可編程永久存儲器模塊，一層堆疊在另一層的上面；所述至少兩層一次性可編程永久存儲器模塊的每一層，包含有用反相摻雜半導體材料制成的M行和N列，其中M和N是大于1正整數；薄絕緣電介質材料設置在所述至少兩層一次性可編程永久存儲器模塊的每一層的所述M行和N列的相交處，在M行和N列之間；所述薄絕緣電介質材料在每一所述M行和N列的頂面和底面之一上。本發(fā)明的多層OTP永久存儲器單元具有高存儲密度。