三維可編程存儲器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811117240.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109545787B 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN109545787B 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L27/115(2017.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭澤忠 申請（專利權）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理機構 成都惠迪專利事務所（普通合伙） 代理人 劉勛
地址 610000四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 三維可編程存儲器的制備方法，涉及存儲器的制備技術。本發(fā)明包括下述步驟：1)形成基礎結構體；2)對基層結構體開槽；3)在條形槽的內壁逐層設置預設的存儲器結構所需的各存儲介質層；4)在條形槽的空腔中填充核心介質，形成核心介質層；5)在條形槽的端部區(qū)域設置自頂層到底層貫穿的隔離槽，從形狀上由隔離槽將各條形槽首尾連接為一條曲線，隔離槽侵入條形槽以使條形槽長邊方向兩側的導電介質形成絕緣隔離；并在條形槽上開設自頂層到底層貫穿的切割槽孔，切割槽孔侵入其所在條形槽長邊鄰近的基礎結構體，切割槽孔將條形槽分割為至少3個獨立的存儲體；6)在隔離槽和切割槽孔中填充絕緣介質。本發(fā)明得到的半導體存儲器存儲密度高。??