三維可編程存儲器的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811117240.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN109545787B | 公開（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申請公布號 | CN109545787B | 申請公布日 | 2021-04-09 |
| 分類號 | H01L27/115(2017.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭澤忠 | 申請（專利權(quán)）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉勛 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號5棟1單元11層3號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 三維可編程存儲器的制備方法，涉及存儲器的制備技術(shù)。本發(fā)明包括下述步驟：1)形成基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體；2)對基層結(jié)構(gòu)體開槽；3)在條形槽的內(nèi)壁逐層設(shè)置預(yù)設(shè)的存儲器結(jié)構(gòu)所需的各存儲介質(zhì)層；4)在條形槽的空腔中填充核心介質(zhì)，形成核心介質(zhì)層；5)在條形槽的端部區(qū)域設(shè)置自頂層到底層貫穿的隔離槽，從形狀上由隔離槽將各條形槽首尾連接為一條曲線，隔離槽侵入條形槽以使條形槽長邊方向兩側(cè)的導(dǎo)電介質(zhì)形成絕緣隔離；并在條形槽上開設(shè)自頂層到底層貫穿的切割槽孔，切割槽孔侵入其所在條形槽長邊鄰近的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)體，切割槽孔將條形槽分割為至少3個獨立的存儲體；6)在隔離槽和切割槽孔中填充絕緣介質(zhì)。本發(fā)明得到的半導(dǎo)體存儲器存儲密度高。?? |
