鍍膜方法及其鍍膜裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210353668.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN102899632B | 公開(公告)日 | 2015-05-20 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102899632B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-05-20 |
分類號(hào) | C23C14/58(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 唐健;范賓;三浦俊彥;渡邊優(yōu);黃志飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 東莞匯馳真空制造有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人 | 光馳科技(上海)有限公司;東莞匯馳真空制造有限公司 |
地址 | 200444 上海市寶山區(qū)寶山城市工業(yè)園區(qū)城銀路267號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 關(guān)于在離子輔助方式的鍍膜方法中,通過(guò)離子輔助難于提高形成的薄膜的致密化效果。在鍍膜腔室10中設(shè)置固定基板的基板支架20,使鍍膜材料在基板上沉積,在基板上形成鍍膜材料的薄膜;進(jìn)一步,使用具有濃度梯度的離子照射基板支架20的整個(gè)區(qū)域,離子照射薄膜,對(duì)薄膜進(jìn)行致密化。 |
