一種使用RIE設(shè)備刻蝕InP材料的方法及刻蝕InP材料
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201710631297.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN107359113B | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請公布號 | CN107359113B | 申請公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 晏小平;秦金;王亮;王肇中 | 申請（專利權(quán)）人 | 武漢光谷量子技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 張凱 |
| 地址 | 430070湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號A5-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種使用RIE設(shè)備刻蝕InP材料的方法及刻蝕InP材料，涉及半導(dǎo)體材料干法刻蝕領(lǐng)域，包括以下步驟：S1、在InP?外延片上通過PECVD設(shè)備，生長一層SiO2薄膜；S2、通過光刻工藝，將掩膜版上的待蝕刻圖形復(fù)制在光刻膠上；S3、將光刻后的樣品光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到SiO2阻擋層上；S4、通過濕法去膠，將光刻膠去除干凈；S5、將待刻蝕的樣品用KOH溶液清洗2～3分鐘，清洗后沖水并干燥處理；S6、將樣品載入RIE工藝腔體中進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明使用RIE設(shè)備刻蝕InP材料的方法通過對干法刻蝕工藝的改進(jìn)，解決了反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備刻蝕InP過程中產(chǎn)生的聚合物副產(chǎn)物污染樣品的問題。?? |
