一種深臺(tái)面型光電子器件及其電極光刻制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011302059.8 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112466994A 公開(公告)日 2021-03-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112466994A 申請(qǐng)公布日 2021-03-09
分類號(hào) G03F1/80(2012.01)I;H01L31/102(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張舟;劉媛媛;王肇中 申請(qǐng)(專利權(quán))人 武漢光谷量子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 孟歡
地址 430206湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)C1-901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種深臺(tái)面型光電子器件及其電極光刻制備方法,方法包括步驟:加工形成深臺(tái)面刻蝕器件;在深臺(tái)面刻蝕器件上勻涂第一層反轉(zhuǎn)光刻膠,并進(jìn)行第一次堅(jiān)膜烘烤,使第一層反轉(zhuǎn)光刻膠固化;在第一層反轉(zhuǎn)光刻膠上勻涂第二層反轉(zhuǎn)光刻膠,并進(jìn)行第二次堅(jiān)膜烘烤,以使所有光刻膠的厚度覆蓋吸收區(qū)的側(cè)壁;依次完成掩膜曝光、反轉(zhuǎn)烘烤、泛曝光及顯影工藝,形成碗狀結(jié)構(gòu)的光刻膠;依次進(jìn)行金屬生長(zhǎng)沉積、金屬lift?off,得到電極光刻后的深臺(tái)面型光電子器件。本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳钆_(tái)面型光電子器件的電極光刻制備方法,有效解決了因側(cè)壁光刻膠覆蓋不足導(dǎo)致器件短路失效的問題,同時(shí)改善了電極lift?off工藝良率。??