一種平面型APD的外延結(jié)構(gòu)、APD及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011458010.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112420860A 公開（公告）日 2021-02-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN112420860A 申請(qǐng)公布日 2021-02-26
分類號(hào) H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾磊;王肇中;周廣通;張舟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光谷量子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 孟歡
地址 430206湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)C1-901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種平面型APD的外延結(jié)構(gòu)、APD及其制作方法，所述平面型APD的外延結(jié)構(gòu)包括倍增層，所述倍增層包括至少一組倍增單元，所述倍增單元從上到下依次包括載流子加速區(qū)和碰撞電離區(qū)，且所述載流子加速區(qū)為本征InAlAs材料，所述碰撞電離區(qū)為本征InP材料。本申請(qǐng)?zhí)峁┑钠矫嫘虯PD的外延結(jié)構(gòu)，可降低過剩噪聲，同時(shí)，在APD制造中，便于控制擴(kuò)散深度。??