一種半導(dǎo)體摻雜工藝的表征方法、裝置及系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011118274.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112014333A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112014333A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-01 |
| 分類號(hào) | G01N21/25(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 顧世海;王肇中;申衍偉;程騰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢光谷量子技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟歡 |
| 地址 | 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)C1-901室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體摻雜工藝的表征方法、裝置及系統(tǒng)，所述表征方法包括步驟：根據(jù)光致發(fā)光測(cè)試設(shè)備測(cè)得的半導(dǎo)體材料的特征光譜曲線，得到所述半導(dǎo)體材料的半峰寬；根據(jù)所述半導(dǎo)體材料的半峰寬來(lái)表征半導(dǎo)體材料的摻雜濃度和摻雜深度，并根據(jù)半峰寬的均勻性來(lái)表征摻雜工藝的均勻性。本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體摻雜工藝的表征方法，不僅可以對(duì)小于300um的選擇性摻雜區(qū)域的雜質(zhì)濃度和摻雜深度進(jìn)行表征，適用范圍更廣，而且此種方法為非接觸式非破壞性測(cè)試，不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體材料造成損傷，更加安全可靠。?? |
