窄光譜響應(yīng)的光電探測器及其制作方法和設(shè)計方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010645475.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111769168B 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN111769168B 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/107（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;CN 1414642 A,2003.04.30;US 2019371956 A1,2019.12.05 周震等.GaAs/GaInNAs多量子阱諧振腔增強型長波長光探測器.《光電子.激光》.2005,第16卷（第02期）,159-163.;劉成等.InP/空氣隙結(jié)構(gòu)的制作與特性.《光電子.激光》.2008,第19卷（第09期）,1188-1191. 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾磊;王肇中;李林;劉媛媛 申請（專利權(quán)）人 武漢光谷量子技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 孟歡
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號C1-901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種窄光譜響應(yīng)的光電探測器及其制作方法和設(shè)計方法，所述光電探測器自上而下依次包括第一反射鏡、功能區(qū)和第二反射鏡；所述第一反射鏡為通過氣相沉積法形成的分布式布拉格DBR反射鏡；所述第二反射鏡為高折射率對比度的懸空反射鏡，且所述第二反射鏡的折射率對比度大于2。本申請?zhí)峁┑恼庾V響應(yīng)的光電探測器，具有厚度小、制造成本低、工藝難度小的優(yōu)點。