一種半導體摻雜工藝的表征方法、裝置及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020111182742 申請日 -
公開（公告）號 CN112014333B 公開（公告）日 2020-12-01
申請公布號 CN112014333B 申請公布日 2020-12-01
分類號 G01N21/25(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 顧世海;王肇中;申衍偉;程騰 申請（專利權）人 武漢光谷量子技術有限公司
代理機構 武漢智權專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 孟歡
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新大道999號C1-901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種半導體摻雜工藝的表征方法、裝置及系統(tǒng)，所述表征方法包括步驟：根據(jù)光致發(fā)光測試設備測得的半導體材料的特征光譜曲線，得到所述半導體材料的半峰寬；根據(jù)所述半導體材料的半峰寬來表征半導體材料的摻雜濃度和摻雜深度，并根據(jù)半峰寬的均勻性來表征摻雜工藝的均勻性。本申請?zhí)峁┑陌雽w摻雜工藝的表征方法，不僅可以對小于300um的選擇性摻雜區(qū)域的雜質濃度和摻雜深度進行表征，適用范圍更廣，而且此種方法為非接觸式非破壞性測試，不會對半導體材料造成損傷，更加安全可靠。??