一種制備雙電子傳輸層鈣鈦礦太陽能電池方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910151582.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109768168A 公開（公告）日 2019-05-17
申請公布號 CN109768168A 申請公布日 2019-05-17
分類號 H01L51/42（2006.01）I; H01L51/46（2006.01）I; H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王堉; 陳樂伍; 賴其聰; 周航 申請（專利權）人 深圳市先進清潔電力技術研究有限公司
代理機構 北京卓嵐智財知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 深圳市先進清潔電力技術研究有限公司
地址 518100 廣東省深圳市雅寶路1號星河WORLD一期A棟28層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供本發(fā)明提供了一種利用雙電子傳輸層結構制備高性能鈣鈦礦太陽能電池的方法。所述方法包括：在摻雜氟的氧化錫透明導電玻璃上制備雙電子傳輸層；所述雙電子傳輸層為銦鎵鋅氧薄膜和氧化錫薄膜，所述IGZO薄膜的制備方法可選磁控濺射或者溶液旋涂，層厚10?45nm；采用溶液旋涂的方法制備一層有機無機雜化鈣鈦礦結構的FA0.7MA0.2Cs0.1Pb(Br0.05I0.95)3作為光吸收層；采用溶液旋涂的方法制備一層Spiro?OMeTAD作為空穴傳輸層；采用真空蒸鍍金電極。上述技術方案具有如下有益效果：減少太陽能電池內部載流子復合促進有效能量輸出，提高太陽能電池的填充因子(FF)，以制備高能量轉換效率的太陽能電池。