一種SnO2-rGO復(fù)合電子傳輸層鈣鈦礦太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910153106.8 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109904331A 公開（公告）日 2019-06-18
申請公布號(hào) CN109904331A 申請公布日 2019-06-18
分類號(hào) H01L51/48（2006.01）I; H01L51/46（2006.01）I; H01L51/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王堉; 陳樂伍; 賴其聰; 周航 申請（專利權(quán)）人 深圳市先進(jìn)清潔電力技術(shù)研究有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京卓嵐智財(cái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 深圳市先進(jìn)清潔電力技術(shù)研究有限公司
地址 518100 廣東省深圳市雅寶路1號(hào)星河WORLD一期A棟28層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種SnO2?rGO復(fù)合電子傳輸層鈣鈦礦太陽能電池的制備方法。所述方法包括：采用旋涂方法在氧化鋅摻雜鋁(AZO)導(dǎo)電玻璃上沉積N型層；所述的AZO導(dǎo)電玻璃層的方塊電阻是10～15Ω，透過率在85％?90％，所述的N型層為SnO2?rGO，層厚為30～50nm；采用旋涂的方法制備一層有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的CH3NH3PbI3層作為吸光層；在所述的吸光層上旋涂P型Sprio?OMeTAD；采用OLED蒸鍍金屬電極層。上述技術(shù)方案具有如下有益效果：低溫制備SnO2?rGO復(fù)合電子傳輸層鈣鈦礦太陽能電池，提高電池穩(wěn)定性和效率，簡化制備工藝，降低原料成本。