一種砷化鎵半導體基片濕法刻蝕工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610174316.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105762062B 公開（公告）日 2018-09-28
申請公布號 CN105762062B 申請公布日 2018-09-28
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任華;汪耀祖 申請（專利權）人 杭州立昂東芯微電子有限公司
代理機構 杭州杭誠專利事務所有限公司 代理人 杭州立昂東芯微電子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市下沙經濟技術開發(fā)區(qū)20號大街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種砷化鎵半導體基片濕法刻蝕工藝，包括以下步驟：（1）將已經完成前段器件工藝加工后的砷化鎵半導體基片粘附在藍寶石載體上；（2）將步驟（1）中的砷化鎵半導體基片進行機械減?。唬?）將步驟（2）中的砷化鎵半導體基片浸于刻蝕液中進行化學腐蝕；（4）將化學腐蝕后的砷化鎵半導體基片取出后經清洗、干燥，直接進行后端光刻及后續(xù)加工即可。本發(fā)明工藝步驟簡單，可操作性強，處理成本低，能有效去除受損晶體加工表面并釋放內部應力，打破了需要購買專業(yè)工藝設備及安裝配套化學廢物處理系統(tǒng)的限制，大大縮短了后端加工工藝流程，更加有利于擴大產能，降低制造成本，提高產品的價格競爭力。