一種砷化鎵半導(dǎo)體基片濕法刻蝕工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610174316.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105762062B 公開（公告）日 2018-09-28
申請公布號 CN105762062B 申請公布日 2018-09-28
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任華;汪耀祖 申請（專利權(quán)）人 杭州立昂東芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州立昂東芯微電子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)20號大街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種砷化鎵半導(dǎo)體基片濕法刻蝕工藝，包括以下步驟：（1）將已經(jīng)完成前段器件工藝加工后的砷化鎵半導(dǎo)體基片粘附在藍寶石載體上；（2）將步驟（1）中的砷化鎵半導(dǎo)體基片進行機械減??；（3）將步驟（2）中的砷化鎵半導(dǎo)體基片浸于刻蝕液中進行化學(xué)腐蝕；（4）將化學(xué)腐蝕后的砷化鎵半導(dǎo)體基片取出后經(jīng)清洗、干燥，直接進行后端光刻及后續(xù)加工即可。本發(fā)明工藝步驟簡單，可操作性強，處理成本低，能有效去除受損晶體加工表面并釋放內(nèi)部應(yīng)力，打破了需要購買專業(yè)工藝設(shè)備及安裝配套化學(xué)廢物處理系統(tǒng)的限制，大大縮短了后端加工工藝流程，更加有利于擴大產(chǎn)能，降低制造成本，提高產(chǎn)品的價格競爭力。