小能帶隙III-V族MOSFET器件的非對稱型源漏極結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610337865.6 申請日 -
公開（公告）號 CN105826392B 公開（公告）日 2018-08-31
申請公布號 CN105826392B 申請公布日 2018-08-31
分類號 H01L29/78;H01L29/417 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莫炯炯;陳華;王志宇;尚永衡;王立平;郁發(fā)新 申請（專利權(quán)）人 杭州立昂東芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州立昂東芯微電子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)20號大街199號1-5幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種小能帶隙III?V族MOSFET器件的非對稱型源漏極結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過在源極、漏極引入不同高摻雜漏極、漏極材料結(jié)構(gòu)，并在漏極引入場板、隔離層側(cè)墻結(jié)構(gòu)，在保證源極有足量載流子輸入的情況下，在漏極減小最高電場強度，使器件的離子化效應(yīng)以及隧道擊穿效應(yīng)產(chǎn)生閾值提高，從而減小漏電流。同時，通過隔離層側(cè)墻，漏極寄生電容得以減小，器件的頻率特性從而得以提高。本發(fā)明能夠提高III?V MOSFET器件截止電壓，減小離子化效應(yīng)及隧道擊穿效應(yīng)，從而降低器件靜態(tài)漏電流及相應(yīng)靜態(tài)功耗；同時通過減小寄生電容提高器件頻率特性。