一種適用于低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板的器件制成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811592435.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109782383A 公開(kāi)（公告）日 2019-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN109782383A 申請(qǐng)公布日 2019-05-21
分類(lèi)號(hào) G02B5/18（2006.01）I 分類(lèi) 光學(xué);
發(fā)明人 任華; 汪文宇 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 杭州立昂東芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州立昂東芯微電子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市市轄區(qū)杭州下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及材料加工領(lǐng)域，公開(kāi)了一種適用于低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板的器件制成方法，包括：1）在低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板的背面鍍上導(dǎo)電薄膜；2）在低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板的正面涂布光刻膠；3）曝光、顯影；4）將低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板裝入基板托盤(pán)，通過(guò)電感耦合等離子體干刻設(shè)備進(jìn)行干刻，重復(fù)步驟2）步驟和3）以實(shí)現(xiàn)多層圖形復(fù)制，并完成從簡(jiǎn)單到復(fù)雜，從均一深度到多層不等深度的各種圖形的復(fù)制；其中刻蝕氣體選自CF4、CHF3、CF4/CHF3、C4F8/CF4或C4F8/CHF3；輔助刻蝕氣體選自O(shè)2、H2、Ar或N2；5）將光刻膠剝離；6）將金電薄膜去除。本發(fā)明工藝流程簡(jiǎn)單，加工精度高，零缺陷，良率高，并可迅速量產(chǎn)。