一種基于砷化鎵器件的MIM電容器及其制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610174315.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105845669B 公開（公告）日 2018-06-12
申請公布號 CN105845669B 申請公布日 2018-06-12
分類號 H01L23/64;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪耀祖 申請（專利權(quán)）人 杭州立昂東芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州立昂東芯微電子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號大街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于砷化鎵器件的MIM電容器，包括砷化鎵半導(dǎo)體基底、底層金屬電極、頂層金屬電極以及設(shè)于底層金屬電極與頂層金屬電極之間的絕緣層，底層金屬電極為Ti/Pd/Au復(fù)合金屬薄膜，底層金屬電極總厚度為0.57~1.13μm；絕緣層為厚度為450~950埃的單層氮化硅薄膜；頂層金屬電極為Ti/Pd/Au復(fù)合金屬薄膜，頂層金屬電極總厚度為0.17~0.53μm。本發(fā)明的電容密度是傳統(tǒng)電容的電容密度的2?3倍，均勻性<+/?10%，質(zhì)量可靠，能滿足不同客戶的要求。本發(fā)明還公開了一種基于砷化鎵器件的MIM電容器制造工藝，工藝步驟簡單，可操作性強(qiáng)，制造成本低，精度高，適合批量生產(chǎn)。