一種化合物半導(dǎo)體層間介電導(dǎo)線及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710345312.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107424978A 公開(kāi)（公告）日 2017-12-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN107424978A 申請(qǐng)公布日 2017-12-01
分類號(hào) H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任華;程岸;汪耀祖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州立昂東芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 代理人 杭州立昂東芯微電子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市市轄區(qū)杭州下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開(kāi)了一種化合物半導(dǎo)體層間介電導(dǎo)線，其包括由SiNx介電層、BCB有機(jī)介電層和金屬導(dǎo)電層組成的導(dǎo)線層，其中根據(jù)具體需求由一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線層組成；本發(fā)明還公開(kāi)了一種化合物半導(dǎo)體層間介電導(dǎo)線的制備方法，包括SiNx介電層沉積、BCB有機(jī)介電層沉積、SiO2硬掩膜沉積、光刻顯影金屬導(dǎo)線連接孔槽圖形、刻蝕接線柱、濺射金屬導(dǎo)線種子層、光刻顯影金屬導(dǎo)線圖形、電鍍金屬導(dǎo)線和除去金屬導(dǎo)線種子層等步驟。本發(fā)明中的化合物半導(dǎo)體層間介電導(dǎo)線架構(gòu)更穩(wěn)定、電容更低、電延遲更小、集成度高并能夠保證高頻高功率工作狀態(tài)下具有更優(yōu)表現(xiàn)；本發(fā)明中的制備方法工藝成熟、可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)制造。