功率MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710908423.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109585445B 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN109585445B 申請公布日 2021-03-16
分類號 H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖勝安 申請（專利權(quán)）人 深圳尚陽通科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 518057廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號特發(fā)信息港B棟601-602單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種功率MOSFET，功率MOSFET的有源區(qū)包括多個并聯(lián)的原胞，各原胞包括柵極結(jié)構(gòu)、溝道區(qū)、源區(qū)、漂移區(qū)和漏區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和多晶硅柵，被多晶硅柵覆蓋的溝道區(qū)的表面用于形成溝道；原胞按照閾值電壓的不同分為2種以上，用以降低功率MOSFET在開關(guān)過程中的電流變化和電壓變化；在開啟過程中，按照閾值電壓從小到大的順序依次開啟和閾值電壓對應(yīng)的原胞；在關(guān)斷過程中，按照閾值電壓從大到小的順序依次關(guān)斷和閾值電壓對應(yīng)的原胞。本發(fā)明能降低開關(guān)速度，從而降低開關(guān)過程中電流和電壓的變化。??