屏蔽柵溝槽功率器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710102757.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108511341B 公開（公告）日 2021-04-02
申請公布號 CN108511341B 申請公布日 2021-04-02
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李東升 申請（專利權(quán)）人 深圳尚陽通科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 518057廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號特發(fā)信息港B棟601-602單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種屏蔽柵溝槽功率器件，包括：器件單元區(qū)，柵極總線區(qū)，終端區(qū)，柵極總線區(qū)的溝槽為器件單元區(qū)的溝槽的延伸結(jié)構(gòu)，終端區(qū)的溝槽環(huán)繞在器件單元區(qū)的周側(cè)，三個(gè)區(qū)域中的溝槽內(nèi)形成的柵極結(jié)構(gòu)工藝相同。器件單元區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)中，屏蔽電極縱向貫穿整個(gè)溝槽，溝槽柵電極為屏蔽電極的頂部兩側(cè)。將形成于溝槽的頂部表面和側(cè)面的場氧層的厚度設(shè)置為大于接觸孔的寬度，使得柵極對應(yīng)的接觸孔直接落在柵極總線區(qū)的溝槽柵電極表面，從而使得三個(gè)區(qū)域的場氧層和溝槽柵電極都為通過全面回刻得到的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了一種屏蔽柵溝槽功率器件的制造方法。本發(fā)明能減少光刻層次，降低工藝成本。??