一種超級(jí)結(jié)器件、芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710003578.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108269858B 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN108269858B 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L29/808;H01L27/06;H01L21/82;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾大杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳尚陽通科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 陽開亮
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號(hào)特發(fā)信息港B棟601-602單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供了一種超級(jí)結(jié)器件、芯片及其制備方法，該器件包括襯底、緩沖層、第二導(dǎo)電類型溝道、第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)和源極，其特征在于，所述器件還包括第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、氧化層和柵極，以及通過挖槽后填入第二導(dǎo)電類型硅或多次外延形成的第二導(dǎo)電類型柱，所述第二導(dǎo)電類型柱通過電阻與源極電位連接，所述第二導(dǎo)電類型柱與漏極電位之間形成電容，所述電阻與所述電容形成RC緩沖器從而改善EMI性能。本發(fā)明在P柱通過電阻與源極電位連接，使第二導(dǎo)電類型柱與漏極電位之間形成電容，通過該電阻與電容形成RC緩沖器從而改善EMI性能。