超結(jié)器件及其制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710500170.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109148555B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-08-31 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109148555B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-31 |
分類(lèi)號(hào) | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 肖勝安;曾大杰;李東升;鄭怡 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 深圳尚陽(yáng)通科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭四華 |
地址 | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號(hào)特發(fā)信息港B棟601-602單元 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種超結(jié)器件,設(shè)置有環(huán)繞在電荷流動(dòng)區(qū)周側(cè)的保護(hù)環(huán)氧化膜,使JFET區(qū)域和源區(qū)都能實(shí)現(xiàn)全面注入,過(guò)渡區(qū)中的第二接觸孔的橫向尺寸大于電荷流動(dòng)區(qū)中的第一接觸孔的最小橫向尺寸,且保證第二接觸孔在比第一接觸孔多穿過(guò)一層保護(hù)環(huán)氧化膜的條件下具有較小的高寬比,從而既能提高第二接觸孔的面積從而提高過(guò)渡區(qū)的載流子收集能力,又能降低第二接觸孔的高寬比從而使得對(duì)較深深度的第二接觸孔進(jìn)行無(wú)針孔金屬填充。本發(fā)明還公開(kāi)了一種超結(jié)器件的制造方法。本發(fā)明能提高器件的抗雪崩擊穿能力,同時(shí)能防止在過(guò)渡區(qū)中接觸孔中出現(xiàn)金屬填充針孔,提高器件的可靠性,還能減少光刻層次,降低工藝成本。 |
