超結(jié)器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710500822.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109148558B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN109148558B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖勝安;曾大杰 申請（專利權(quán)）人 深圳尚陽通科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號特發(fā)信息港B棟601-602單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超結(jié)器件，設(shè)置有環(huán)繞在電荷流動區(qū)周側(cè)的保護環(huán)氧化膜，使JFET區(qū)域和源區(qū)都能實現(xiàn)全面注入，過渡區(qū)中的第二接觸孔的高寬比大于等于電荷流動區(qū)中的第一接觸孔的高寬比，采用鎢塞工藝填充同時實現(xiàn)對具有不同高寬比的第一和二接觸孔的可靠填充，P型阱的注入?yún)^(qū)的寬度小于P型柱的寬度，能使溝道區(qū)域位置處的N型區(qū)域的寬度增加。本發(fā)明還公開了一種超結(jié)器件的制造方法。本發(fā)明能在過渡區(qū)中接觸孔采用較高的高寬比時進行可靠填充，能減少光刻層次，還有利于對接觸孔按照器件需要進行布局，同時保證器件的抗雪崩擊穿能力不受過渡區(qū)的接觸孔工藝的影響，能增加溝道區(qū)域的N型區(qū)域的有效寬度，降低器件的比導(dǎo)通電阻。