一種超級結(jié)器件、芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710003578.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108269858A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN108269858A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L29/808;H01L27/06;H01L21/82;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾大杰 申請（專利權(quán)）人 深圳尚陽通科技股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳中一專利商標事務(wù)所 代理人 陽開亮
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號特發(fā)信息港B棟601-602單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于半導體領(lǐng)域，提供了一種超級結(jié)器件、芯片及其制備方法，該器件包括襯底、緩沖層、第二導電類型溝道、第二導電類型重摻雜區(qū)和源極，其特征在于，所述器件還包括第一導電類型漂移區(qū)、氧化層和柵極，以及通過挖槽后填入第二導電類型硅或多次外延形成的第二導電類型柱，所述第二導電類型柱通過電阻與源極電位連接，所述第二導電類型柱與漏極電位之間形成電容，所述電阻與所述電容形成RC緩沖器從而改善EMI性能。本發(fā)明在P柱通過電阻與源極電位連接，使第二導電類型柱與漏極電位之間形成電容，通過該電阻與電容形成RC緩沖器從而改善EMI性能。