一種鏈?zhǔn)絇ECVD鍍膜工藝穩(wěn)定性的檢測方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110714182.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113539871B 公開（公告）日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113539871B 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王紅芳;徐卓;趙學(xué)玲;潘明翠;陳志軍;田思;李鋒;史金超;李倩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英利能源發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 河北國維致遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 071051 河北省保定市朝陽北大街3399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鏈?zhǔn)絇ECVD鍍膜工藝穩(wěn)定性的檢測方法，該檢測方法包括如下步驟：采取相同鍍膜工藝下不同時(shí)間點(diǎn)完成的鍍膜硅片，燒結(jié)得半成品；分別對(duì)半成品進(jìn)行PL和隱性開路電壓測試，或PL和飽和電流密度測試，或PL和隱性開路電壓、飽和電流密度測試；根據(jù)測試結(jié)果評(píng)估不同時(shí)間點(diǎn)所述鏈?zhǔn)絇ECVD鍍膜工藝的穩(wěn)定性；其中，不同時(shí)間點(diǎn)的鍍膜硅片前端各工序工藝保持一致；不同時(shí)間點(diǎn)中至少一個(gè)時(shí)間點(diǎn)選自整個(gè)鍍膜工藝周期的0?3/5時(shí)間段內(nèi)；各半成品進(jìn)行PL、隱性開路電壓、飽和電流密度測試的條件保持一致。該檢測方法通過對(duì)半成品進(jìn)行測試，能夠方便、快捷、直觀地體現(xiàn)鏈?zhǔn)絇ECVD鍍膜工藝穩(wěn)定性，節(jié)約生產(chǎn)成本。