控制電路及升壓電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110410894.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112821762B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN112821762B 申請公布日 2021-09-03
分類號 H02M3/158;H02M1/088;H02M1/36 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 王紅義;毛豪 申請（專利權(quán)）人 深圳市拓爾微電子有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李艷麗
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道勞動社區(qū)西鄉(xiāng)大道302號金源商務(wù)大廈B座213
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N控制電路及升壓電路，涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，控制電路包括：脈沖寬度調(diào)制子模塊、振蕩器和邏輯子模塊；脈沖寬度調(diào)制子模塊用于根據(jù)接收的第一反饋信號，調(diào)整脈沖寬度調(diào)制子模塊輸出的脈沖寬度調(diào)制波，振蕩器用于根據(jù)接收的第二反饋信號，調(diào)整振蕩器輸出的時鐘信號，邏輯子模塊用于根據(jù)脈沖寬度調(diào)制波和時鐘信號，控制升壓電路中NMOS的通斷狀態(tài)，并調(diào)整升壓電路中PMOS的導(dǎo)通時間。本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案中控制電路調(diào)整PMOS和NMOS的導(dǎo)通時間，使得輸出電壓在比輸入電壓高出預(yù)設(shè)電壓閾值的前后，在PMOS導(dǎo)通時電感的放電量與NMOS導(dǎo)通時電感的充電量相同，也即是電感的平均電流保持不變，從而可以平滑提高輸出電壓。